به گزارش ایسنا و به نقل از نیویورک‌تایمز، پژوهش جدیدی که در "دانشگاه کالیفرنیا، سن‌دیگو"(University of California San Diego) در آمریکا انجام شد، پژوهشگران را به افزایش حافظه انسان از راه تحریک الکتریکی مغز با "ضربان ساز" (pacemaker)مغزی امیدوار می‌کند.

گشودن مغز انسان، یکی از بزرگترین اهداف فناوری نانو در سال‌های اخیر بوده است و این بررسی، پژوهشگران را به ساختن این گونه فناوری برای عموم نزدیک‌تر می‌سازد.

تحریک مغزی عمیق

دانشمندان، یک ضربان ساز مغزی ابداع کرده‌اند که برای ذخیره اطلاعات جدید، پالس‌های الکتریکی را ارسال می‌کند اما اگر متوجه شود که عملکرد مغز به شکل معمول نیست، این فناوری، اجرا نمی‌شود. این ابزار با نوآوری‌های مغزی اخیر که به جای مشارکت در تحریک الکتریکی مغز، عملکرد خود را ادامه می‌دهند، تفاوت دارد.

این فناوری که تحریک عمیق مغز نام دارد به همراه نتایج این پژوهش، در شماره اخیر مجله " Nature Communications" به چاپ رسید.

"بردلی ویتک" (Bradley Voytek)، استادیار علوم شناختی و داده این دانشگاه گفت: نکته جالب این ضربان ساز این است که اگر بتوانیم آن را تکرار کنیم و گسترش دهیم، می‌توانیم از همین روش استفاده کنیم تا بفهمیم کدام ویژگی‌های‌ فعالیت مغز، عملکرد خوبی را پیش‌بینی می‌کنند.

افزایش حافظه بیماران مبتلا به صرع با ایمپلنت

این ایمپلنت‌ها، کاری بیش از افزایش 25 درصدی حافظه افراد تحت درمان صرع، انجام دادند. استدلال این پژوهشگران این بود که امکان دارد این ایمپلنت برای درمان صرع هم استفاه شود.

این فناوری، کمی پس از انتشار اطلاعات "مرکز پزشکی وکسنر دانشگاه ایالتی اوهایو" (Ohio State University Wexner Medical Center)  در مورد یک ضربان ساز مغزی جداگانه، رونمایی شد. این ضربان‌ساز مغزی، بیماری آلزایمر را به شکل تهاجمی‌تری هدف قرار می‌دهد و اطلاعات مربوط به آن، در مجله " Alzheimer's Disease" به چاپ رسید.

گروه دانشگاه اوهایو در پژوهش اخیر خود، تاثیر ایمپلنت‌ها را بر لوب‌های پیشانی بررسی کرد تا این ناحیه از مغز که بیشترین مسئولیت را در حل و سازماندهی مشکل و قضاوت خوب دارد، تحریک کند.

انتهای پیام